据“九峰山实验室”公众号发文，随着半导体器件尺寸不断缩小，传统互连材料如钨（W）、铜（Cu）在纳米尺度下面临电阻率急剧上升、电迁移失效等严峻挑战。金属钼（Mo）凭借优异的电学性能和高温稳定性，成为理想的替代方案。在纳米尺度下，Mo的电阻率增幅远低于钨和铜，且可同时用于互连层与栅极，适配先进制程。然而，高性能ALD（原子层沉积）钼薄膜的工艺窗口窄、控制难度高，如何在大规模量产中兼顾电阻率、均匀性与台阶覆盖率，一直是行业攻关的重点。九峰山实验室化合物半导体中试平台的工艺团队，通过与国产ALD设备厂商深度协同，成功实现了ALD钼工艺的新突破：以稳定高效的MoCl?O?原料为前驱体，在400℃条件下制备出高性能金属钼薄膜。这是国内首次基于8英寸平台完成该工艺的开发。在3DNAND制造中，该技术的高台阶覆盖率可完美适配垂直沟道结构，助力提升存储容量与读写速度。在7纳米及以下逻辑芯片中，低电阻率可直接降低RC延迟，带来运算速度提升与功耗下降；在DRAM制造中，高均匀性和致密结构则有助于提高器件稳定性与使用寿命。

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